2014年6月10日，作为全球硅衬底LED技术的主导者，晶能光电首次发布了采用硅衬底大功率LED芯片的手机闪光灯，并分享介绍了硅衬底大功率LED芯片应用于闪光灯的优势以及未来LED闪光灯的发展趋势。

    硅衬底大功率LED芯片作为手机闪光灯的光源具有得天独厚的优势:硅衬底大功率LED芯片是垂直电极结构芯片，可承受大电流、可靠性高，符合手机闪光灯瞬间工作电流大的要求；单面出光，方向性好，不会有多余的侧光影响摄像头工作状态，从而引起眩光；更为重要的是，硅衬底LED芯片适合荧光粉直涂工艺，可使光源颜色均匀性更好，拍照出来的效果更好，无光晕、光斑等现象。

    目前，LED手机闪光灯的主流封装是采用陶瓷封装以获得高性能。得益于晶能光电的硅衬底LED芯片光源优势和领先的陶瓷封装技术，此次发布的LED手机闪光灯实现了320 Lm 的超高亮度，+/-350K的超窄色温范围以及CRI >85%的优秀色彩还原表现力，性能比国外厂商的主流产品性能更优越。

    未来LED手机闪光灯不但是综合成本和性能的较量，更多的是LED光源制造商、手机制造商、手机用户三方的互动，是综合解决方案的价值体现。随着全球智能手机市场持续增长，中国品牌手机的市场份额呈现逐年大幅提升的趋势。

    晶能光电瞄准手机LED闪光灯巨大的市场前景，利用硅衬底LED芯片的光源优势应用于手机闪光灯的优势，结合精密的驱动和Lens设计与加工，为客户提供手机闪光灯的全套模组方案，同时也为手机用户提供更加优越的拍照体验。这是晶能光电布局手机闪光灯市场的“与众不同”。

转载：http://www.china-led.org/article/20140623/8084.shtml